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High Voltage
HiPerFET Power
MOSFET
IXFH 6N120
V DSS
I D (cont)
R DS(on)
t rr
= 1200 V
= 6 A
= 2.6 ?
≤ 300 ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1200
1200
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
6
24
6
25
V
V
A
A
A
mJ
TO-247 AD (IXTH)
(TAB)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
500
10
mJ
V/ns
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
W
° C
° C
° C
° C
Features
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
rated
Low package inductance
Weight
TO-247 AD
6
g
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
1200
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D =2.5 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 100
50
1500
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2.6
?
? 2005 IXYS All rights reserved
DS99335(02/05)
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